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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | - |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | - |
Emballage: | - |
Package / Boîte: | - |
Autres noms: | 497-15052-1 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | STL10N65M2 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1480pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 650V 20A (Tc) Surface Mount |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
La description: | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |