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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 135µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3-1 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 38W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | SP001117760 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
Référence fabricant: | SPD03N60C3ATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1 |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |