NTMFS4926NET1G
NTMFS4926NET1G
Modèle de produit:
NTMFS4926NET1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17978 Pieces
Fiche technique:
NTMFS4926NET1G.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):920mW (Ta), 21.6W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN, 5 Leads
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:NTMFS4926NET1G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1004pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 9A (Ta), 44A (Tc) 920mW (Ta), 21.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta), 44A (Tc)
Email:[email protected]

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