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AOWF12N60
- Modèle de produit:
- AOWF12N60
- Fabricant:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17762 Pieces
- Fiche technique:
- 1.AOWF12N60.pdf2.AOWF12N60.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour AOWF12N60, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour AOWF12N60 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 550 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 28W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | AOWF12N60 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2100pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 12A TO262F |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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