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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 27.8W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | AOWF15S60 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 717pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.6nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 15A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 15A TO262F |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |