SH8KA2GZETB
Modèle de produit:
SH8KA2GZETB
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14461 Pieces
Fiche technique:
SH8KA2GZETB.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur:8-SOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 8A, 10V
Puissance - Max:2.8W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:SH8KA2GZETBTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:SH8KA2GZETB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:-
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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