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BSO615C G
- Modèle de produit:
- BSO615C G
- La description:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15054 Pieces
- Fiche technique:
- BSO615C G.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour BSO615C G, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour BSO615C G par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | PG-DSO-8 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | BSO615C G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Email: | [email protected] |
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