AON5810
AON5810
Modèle de produit:
AON5810
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16107 Pieces
Fiche technique:
1.AON5810.pdf2.AON5810.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:6-DFN-EP (2x5)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Puissance - Max:1.6W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AON5810
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:13.1nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Tension drain-source (Vdss):20V
La description:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.7A
Email:[email protected]

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