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RF4E100AJTCR
- Modèle de produit:
- RF4E100AJTCR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17439 Pieces
- Fiche technique:
- RF4E100AJTCR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | HUML2020L8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.4 Ohm @ 10A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | RF4E100AJTCRTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | RF4E100AJTCR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1460pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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