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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRFBC30ASPBF
IRFBC30ASPBF
IRFBC30ASPBF
Modèle de produit:
IRFBC30ASPBF
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15096 Pieces
Fiche technique:
IRFBC30ASPBF.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Dissipation de puissance (max):74W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:*IRFBC30ASPBF
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Référence fabricant:IRFBC30ASPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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