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JAN1N5619US
- Modèle de produit:
- JAN1N5619US
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 18614 Pieces
- Fiche technique:
- JAN1N5619US.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.6V @ 3A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | D-5A |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 250ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SQ-MELF, A |
| Autres noms: | 1086-19421 1086-19421-MIL |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | JAN1N5619US |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 500nA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Capacité à Vr, F: | 25pF @ 12V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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