FQA12N60
FQA12N60
Modèle de produit:
FQA12N60
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19505 Pieces
Fiche technique:
FQA12N60.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):240W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQA12N60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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