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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±18V |
La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur: | TO-220 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Dissipation de puissance (max): | 65W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Référence fabricant: | TPH3202PS |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | GAN FET 600V 9A TO220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |