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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-3PN |
Séries: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 470 mOhm @ 6.3A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 150W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | FQA12P20 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 200V 12.6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Tension drain-source (Vdss): | 200V |
La description: | MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |