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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDP8030L
FDP8030L
Modèle de produit:
FDP8030L
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19227 Pieces
Fiche technique:
1.FDP8030L.pdf2.FDP8030L.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):187W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
Température de fonctionnement:-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:9 Weeks
Référence fabricant:FDP8030L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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