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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD18533KCS
CSD18533KCS
Modèle de produit:
CSD18533KCS
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18479 Pieces
Fiche technique:
CSD18533KCS.pdf
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introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):192W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:296-35013
CSD18533KCS-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:CSD18533KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3025pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 60V 72A (Ta), 100A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:72A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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