FDFM2P110
FDFM2P110
Modèle de produit:
FDFM2P110
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14391 Pieces
Fiche technique:
FDFM2P110.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:MicroFET 3x3mm
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-MLP, Power33
Autres noms:FDFM2P110-ND
FDFM2P110TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:FDFM2P110
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Description élargie:P-Channel 20V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
La description:MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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