STI18NM60N
STI18NM60N
Modèle de produit:
STI18NM60N
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13407 Pieces
Fiche technique:
STI18NM60N.pdf

introduction

BYCHIPS est le distributeur de bas pour STI18NM60N, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour STI18NM60N par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Acheter STI18NM60N avec BYCHPS
Acheter avec garantie

Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:285 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):110W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STI18NM60N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes