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FDFM2N111
- Modèle de produit:
- FDFM2N111
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17098 Pieces
- Fiche technique:
- FDFM2N111.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour FDFM2N111, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FDFM2N111 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | MicroFET 3x3mm |
| Séries: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.7W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-MLP, Power33 |
| Autres noms: | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Référence fabricant: | FDFM2N111 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 273pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Description élargie: | N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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