FCH023N65S3L4
FCH023N65S3L4
Modèle de produit:
FCH023N65S3L4
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
quantité disponible:
17352 Pieces
Fiche technique:
FCH023N65S3L4.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 7.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):595W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-4
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:37 Weeks
Référence fabricant:FCH023N65S3L4
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7160pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:222nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
La description:MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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