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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-3PF |
Séries: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 620 mOhm @ 3.55A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 70W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-3P-3 Full Pack |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | FQAF9P25 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1180pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 250V 7.1A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF |
Tension drain-source (Vdss): | 250V |
La description: | MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |