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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
Modèle de produit:
EPC8009ENGR
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16117 Pieces
Fiche technique:
1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:138 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Tray
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:EPC8009ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:47pF @ 32.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.38nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):65V
La description:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.1A (Ta)
Email:[email protected]

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