Acheter EPC8009 avec BYCHPS
Acheter avec garantie
EPC8009
- Modèle de produit:
- EPC8009
- Fabricant:
- EPC
- La description:
- TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12228 Pieces
- Fiche technique:
- 1.EPC8009.pdf2.EPC8009.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour EPC8009, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour EPC8009 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur: | Die |
| Séries: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 500mA, 5V |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | 917-1078-2 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | EPC8009 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 52pF @ 32.5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.45nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 65V |
| La description: | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes EPC8009
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8010 | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | Enquête |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8010ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | Enquête |
|
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog