APTM120A20DG
Modèle de produit:
APTM120A20DG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15743 Pieces
Fiche technique:
APTM120A20DG.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 6mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 25A, 10V
Puissance - Max:1250W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:APTM120A20DG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:15200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:600nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Standard
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 50A 1250W Chassis Mount SP6
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
La description:MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A
Email:[email protected]

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