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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 20mA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | SP6 |
Séries: | POWER MOS 7® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 58A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 3290W (Tc) |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | SP6 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
Référence fabricant: | APTM120U10SCAVG |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 28900pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1100nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 1200V (1.2kV) 116A 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
La description: | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 116A |
Email: | [email protected] |