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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 20mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SP6 |
| Séries: | POWER MOS 7® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3290W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP6 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APTM120U10SCAVG |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 28900pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1100nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1200V (1.2kV) 116A 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 116A |
| Email: | [email protected] |