APTM120DA68T1G
Modèle de produit:
APTM120DA68T1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18036 Pieces
Fiche technique:
1.APTM120DA68T1G.pdf2.APTM120DA68T1G.pdf

introduction

BYCHIPS est le distributeur de bas pour APTM120DA68T1G, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour APTM120DA68T1G par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Acheter APTM120DA68T1G avec BYCHPS
Acheter avec garantie

Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:816 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):357W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APTM120DA68T1G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6696pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1200V (1.2kV) 15A 357W (Tc) Chassis Mount SP1
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
La description:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes