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Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
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La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Package composant fournisseur: | TO-257 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 15A |
Dissipation de puissance (max): | 172W (Tc) |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-257-3 |
Autres noms: | 1242-1150 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
Référence fabricant: | 2N7639-GA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1534pF @ 35V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
type de FET: | - |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
La description: | TRANS SJT 650V 15A TO-257 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) (155°C) |
Email: | [email protected] |