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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 94W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Autres noms: | SP000237660 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IPP034N03LGHKSA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5300pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |