IPP030N10N3GHKSA1
IPP030N10N3GHKSA1
Modèle de produit:
IPP030N10N3GHKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16240 Pieces
Fiche technique:
IPP030N10N3GHKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 275µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO-220-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:SP000446588
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IPP030N10N3GHKSA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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