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2N7635-GA
- Modèle de produit:
- 2N7635-GA
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- TRANS SJT 650V 4A TO-257
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 17287 Pieces
- Fiche technique:
- 2N7635-GA.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Package composant fournisseur: | TO-257 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 415 mOhm @ 4A |
| Dissipation de puissance (max): | 47W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-257-3 |
| Autres noms: | 1242-1146 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | 2N7635-GA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | - |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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