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STS9P2UH7
- Modèle de produit:
- STS9P2UH7
- Fabricant:
- ST
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14737 Pieces
- Fiche technique:
- STS9P2UH7.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.7W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | 497-15155-2 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | STS9P2UH7 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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