FDB14N30TM
FDB14N30TM
Modèle de produit:
FDB14N30TM
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14829 Pieces
Fiche technique:
FDB14N30TM.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max):140W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:FDB14N30TMTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:9 Weeks
Référence fabricant:FDB14N30TM
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 300V 14A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):300V
La description:MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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