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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 600mV @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | 497-3225-2 STS2DPFS20V-E |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STS2DPFS20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Description élargie: | P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |