R5207ANDTL
R5207ANDTL
Modèle de produit:
R5207ANDTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15529 Pieces
Fiche technique:
R5207ANDTL.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:CPT3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):40W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:R5207ANDTL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension drain-source (Vdss):525V
La description:MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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