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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAKFP (TO-281) |
| Séries: | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 850 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 40W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Autres noms: | 497-13267-5 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STFI13N95K3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 950V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Tension drain-source (Vdss): | 950V |
| La description: | MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |