STB80NF03L-04-1
STB80NF03L-04-1
Modèle de produit:
STB80NF03L-04-1
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16173 Pieces
Fiche technique:
STB80NF03L-04-1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:497-12540-5
STB80NF03L-04-1-ND
STB80NF03L041
Température de fonctionnement:-60°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STB80NF03L-04-1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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