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STB80N20M5
- Modèle de produit:
- STB80N20M5
- Fabricant:
- ST
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19633 Pieces
- Fiche technique:
- STB80N20M5.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D2PAK |
| Séries: | MDmesh™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 190W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | 497-10705-2 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | STB80N20M5 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4329pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 104nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 61A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 61A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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