SPI15N65C3HKSA1
SPI15N65C3HKSA1
Modèle de produit:
SPI15N65C3HKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13225 Pieces
Fiche technique:
SPI15N65C3HKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 675µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO262-3-1
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 9.4A, 10V
Dissipation de puissance (max):156W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:SP000294825
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:SPI15N65C3HKSA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 650V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tension drain-source (Vdss):650V
La description:MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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