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SPI08N80C3
- Modèle de produit:
- SPI08N80C3
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15316 Pieces
- Fiche technique:
- SPI08N80C3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 470µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3-1 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 104W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | SP000014819 SP000683148 SPI08N80C3-ND SPI08N80C3IN SPI08N80C3X SPI08N80C3XK SPI08N80C3XKSA1 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | SPI08N80C3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 800V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| La description: | MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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