SPD15P10PLGBTMA1
SPD15P10PLGBTMA1
Modèle de produit:
SPD15P10PLGBTMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14810 Pieces
Fiche technique:
SPD15P10PLGBTMA1.pdf

introduction

BYCHIPS est le distributeur de bas pour SPD15P10PLGBTMA1, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour SPD15P10PLGBTMA1 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Acheter SPD15P10PLGBTMA1 avec BYCHPS
Acheter avec garantie

Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1.54mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO252-3
Séries:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):128W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:SPD15P10PL GDKR
SPD15P10PL GDKR-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:SPD15P10PLGBTMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1490pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes