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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1.54mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 11.3A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 128W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | SPD15P10PL GDKR SPD15P10PL GDKR-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Référence fabricant: | SPD15P10PLGBTMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1490pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
Email: | [email protected] |