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RQ3E080BNTB
- Modèle de produit:
- RQ3E080BNTB
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15968 Pieces
- Fiche technique:
- RQ3E080BNTB.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | RQ3E080BNTBTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | RQ3E080BNTB |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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