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| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.9V @ 4A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | P-TO252-3 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | thinQ!™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SDD04S60XT SP000077602 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SDD04S60 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Surface Mount P-TO252-3 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 200µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 4A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 150pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |