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RW1E015RPT2R
- Modèle de produit:
- RW1E015RPT2R
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17187 Pieces
- Fiche technique:
- RW1E015RPT2R.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour RW1E015RPT2R, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour RW1E015RPT2R par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-WEMT |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 400mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | RW1E015RPT2RTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | RW1E015RPT2R |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 230pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 30V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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