RF4C050APTR
RF4C050APTR
Modèle de produit:
RF4C050APTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14752 Pieces
Fiche technique:
RF4C050APTR.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-HUML2020L8 (2x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerUDFN
Autres noms:RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:RF4C050APTR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
La description:MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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