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PSMN8R5-100ESQ
- Modèle de produit:
- PSMN8R5-100ESQ
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb par exemption / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15571 Pieces
- Fiche technique:
- PSMN8R5-100ESQ.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 263W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | 1727-1054 568-10161-5 568-10161-5-ND 934067378127 PSMN8R5100ESQ |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | PSMN8R5-100ESQ |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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