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FQB15P12TM
- Modèle de produit:
- FQB15P12TM
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16340 Pieces
- Fiche technique:
- FQB15P12TM.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour FQB15P12TM, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FQB15P12TM par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FQB15P12TM |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 120V 15A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tension drain-source (Vdss): | 120V |
| La description: | MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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