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FQT1N60CTF_WS
- Modèle de produit:
- FQT1N60CTF_WS
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16923 Pieces
- Fiche technique:
- 1.FQT1N60CTF_WS.pdf2.FQT1N60CTF_WS.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-223-4 |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.1W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTFWS |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Référence fabricant: | FQT1N60CTF_WS |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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