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NE3512S02-T1C-A
- Modèle de produit:
- NE3512S02-T1C-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17937 Pieces
- Fiche technique:
- 1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Test: | 2V |
|---|---|
| Tension - Nominale: | 4V |
| Transistor Type: | HFET |
| Package composant fournisseur: | S02 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | NE3512S02-T1C-A-ND NE3512S02-T1C-ATR NE3512S02T1CA |
| Noise Figure: | 0.35dB |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | NE3512S02-T1C-A |
| Gain: | 13.5dB |
| La fréquence: | 12GHz |
| Description élargie: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| La description: | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| Note actuelle: | 70mA |
| Courant - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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