NE3511S02-T1C-A
NE3511S02-T1C-A
Modèle de produit:
NE3511S02-T1C-A
Fabricant:
CEL (California Eastern Laboratories)
La description:
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19915 Pieces
Fiche technique:
NE3511S02-T1C-A.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Test:2V
Tension - Nominale:4V
Transistor Type:HFET
Package composant fournisseur:S02
Séries:-
Alimentation - sortie:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:4-SMD, Flat Leads
Autres noms:NE3511S02-T1C-A-ND
NE3511S02-T1C-ATR
Noise Figure:0.3dB
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:NE3511S02-T1C-A
Gain:13.5dB
La fréquence:12GHz
Description élargie:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
La description:IC AMP RF LNA 13.5DB S02
Note actuelle:70mA
Courant - Test:10mA
Email:[email protected]

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