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MMSF3P02HDR2G
- Modèle de produit:
- MMSF3P02HDR2G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16270 Pieces
- Fiche technique:
- MMSF3P02HDR2G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | MMSF3P02HDR2GOSDKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | MMSF3P02HDR2G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 20V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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